SOI 納秒光開(kāi)關(guān)芯片陣列該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應實(shí)現納秒級高速響應的光路切換，實(shí)現了多通道光開(kāi)關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅動(dòng)電路一體化光電封裝，熱電混調，數字化驅動(dòng)，偏振相關(guān)性小，插入損耗低

9bit 可調光延時(shí)線(xiàn)芯片 SOI 硅光子集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級時(shí)延回路結構，芯片集成時(shí)延切換開(kāi)關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時(shí)切換時(shí)間達到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內單級延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit

9bit 可調光延時(shí)線(xiàn)芯片 SOI 硅光子技術(shù)集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級時(shí)延回路結構，芯片集成時(shí)延切換開(kāi)關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時(shí)切換時(shí)間達到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內單級延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit

9bit 可調光延時(shí)線(xiàn)芯片片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級時(shí)延回路結構，芯片集成時(shí)延切換開(kāi)關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時(shí)切換時(shí)間達到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內單級延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit

單片集成 9bit 可調光延時(shí)線(xiàn)芯片片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級時(shí)延回路結構，芯片集成時(shí)延切換開(kāi)關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時(shí)切換時(shí)間達到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內單級延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit

SOI單片集成 9bit 可調光時(shí)延線(xiàn)芯片片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級時(shí)延回路結構，芯片集成時(shí)延切換開(kāi)關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時(shí)切換時(shí)間達到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內單級延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit

硅基單片集成 9bit 可調光時(shí)延線(xiàn)芯片片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級時(shí)延回路結構，芯片集成時(shí)延切換開(kāi)關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時(shí)切換時(shí)間達到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內單級延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit

SOI納秒光開(kāi)關(guān)芯片陣列該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應實(shí)現納秒級高速響應的光路切換，實(shí)現了多通道光開(kāi)關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅動(dòng)電路一體化光電封裝，熱電混調，數字化驅動(dòng)，偏振相關(guān)性小，插入損耗低